| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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ZXM63N02E6TA |
SOT-23-6 | Diodes Inc | 168 | 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
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ZXM63N02E6TA参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6 包装数量：1 包装形式： FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.2A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 芯片电阻 - 表面MCR18EZHF1304 DC DC ConVI-2T1-EV-F4 圆形CB3106A-22-8S 功率，高于 2 安KUP-11A15-120 PMIC - 稳压TPS54611PWPG4 矩形- 接头，公引B15B-PH-K-S(LF)(SN) Card EdgeABC22DRTH-S93 DC DC ConVE-JWW-IY-F2 Card EdgeASM18DRSN 嵌入式 - FPGA3PE3000-PQ208I |
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